纳米制程被抛弃？Intel宣布全新CPU工艺路线图

重生极品妖孽

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前不久Intel宣布即将举行一次重要会议，今天凌晨这个会议正式召开，介绍了Intel在芯片工艺及封装上的进展，其中一个重要内容就是全新的CPU工艺路线图。而且Intel真的改名了，10nm工艺变成了Intel 7，7nm变成了Intel 4，未来还有Intel 3、Intel 20A。

前不久Intel宣布即将举行一次重要会议，今天凌晨这个会议正式召开，介绍了Intel在芯片工艺及封装上的进展，其中一个重要内容就是全新的CPU工艺路线图。而且Intel真的改名了，10nm工艺变成了Intel 7，7nm变成了Intel 4，未来还有Intel 3、Intel 20A。

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Intel宣布全新CPU工艺路线图

Intel是坚定的摩尔定律捍卫者，尽管每代工艺的技术指标是最强的，但在进度上确实已经落后于台积电、三星，现在量产了10nm工艺，台积电已经是第二代5nm工艺了，明年还有3nm工艺。

工艺命名上始终落后对手，对Intel来说宣传很不利，早前网友调侃说Intel应该把10nm改成7nm，毕竟他们的晶体管指标确实达到甚至超过了台积电7nm的水平，没想到这个调侃成真，Intel这次真的改名了，但改的方式也有点独特。

此前的10nm Enhanced SuperFin工艺改为Intel 7——对，没有7nm字样，官方就叫做Intel 7，你当7nm也行，但Intel没明确说是7nm，这次就是改了，但又没改。

相比Tiger Lkae上的10nm Superfin工艺，Intel 7工艺的每瓦性能提升10-15%（注意Intel介绍性能提升的方式也变了，说的是每瓦性能），首先应用于今年底的Alder Lake，数据中心处理器Sapphire Rapids则会在明年用上Intel 7工艺。

Intel原先的7nm工艺则会改名为Intel 4，这会是Intel首个应用EUV光刻工艺的FinFET工艺，每瓦性能提升20%，2022年下半年开始生产，2023年产品出货，就是之前的7nm Meteor Lake处理器。

Intel 4工艺之后是Intel 3工艺，是最后一代FinFET工艺，每瓦性能提升18%，2023年下半年开始生产。

再往后Intel也会放弃FinFET晶体管技术，转向GAA晶体管，新工艺名为Intel 20A，会升级到两大突破性技术——PowerVia、RibbonFET，前者是Intel独创的供电技术，后者是GAA晶体管的Intel技术实现，预计2024年问世。

2025年及之后的工艺还在开发中，命名为Intel 18A，会继续改进RibbonFET工艺，同时会用上ASML下一代的高NA EUV光刻机，量产时间不定。

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不单单是改名游戏

据悉，英特尔有望率先获得业界第一台 High-NA EUV 光刻机。此外，AWS 成为第一个使用英特尔代工服务（IFS）封装解决方案的客户，高通也将采用 Intel 20A 制程工艺技术。

“对于未来十年走向超越 1nm 节点的创新，英特尔有着一条清晰的路径。”英特尔 CEO 帕特?基辛格发表演讲时谈道，“英特尔的最新命名体系，是基于我们客户看重的关键技术参数而提出的，即性能、功率和面积。”

当然，这次的改革有一点让网友感觉惊讶的地方，那就是Intel真的如之前网友调侃的段子那样，上来就玩了一把给工艺改名的游戏——年底的10nm ESF工艺改名为Intel 7，计划中的7nm改名为Intel 4，未来还会继续推出Intel 3工艺，这次的改名直接让Intel跟台积电站到同一起跑线上了，毕竟台积电2023年量产的也是3nm工艺，同样也是最后一代FinFET工艺。

调侃归调侃，但是Intel这次推出的工艺不仅仅是改名那么简单，有一件事非常值得关注，那就是Intel要率先从纳米时代进入埃米时代（Ångstrom，1纳米等于10埃米），这就是Intel预计2024年推出的Intel 20A工艺，其中的A就指的是埃米。

到了埃米时代，20A工艺有两大革命性新技术，RibbonFET及PowerVia，前者就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管，PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。

现在20A工艺的具体细节还没公布，但从字面意义上来看，20A差不多是2nm工艺的水平，倒也符合3nm之后的摩尔定律进步。

如果用一句话解释Intel的目标，那就是CEO基辛格日前在媒体采访中的表态—— 在2024年到2025年间，Intel将重返半导体技术领先地位。

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快速落地的代工服务

随着英特尔全新 IDM2.0 战略的实施，封装对于实现摩尔定律变得更加重要。英特尔宣布，AWS 将成为首个使用英特尔代工服务（IFS）封装解决方案的客户。

EMIB 作为首个 2.5D 嵌入式桥接解决方案将继续引领行业，英特尔自 2017 年以来一直在出货 EMIB 产品。Sapphire Rapids 将成为采用 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）批量出货的首个至强数据中心产品，也将是业界首个提供几乎与单片设计相同性能的，但整合了两个光罩尺寸的器件。继 Sapphire Rapids 之后，下一代 EMIB 的凸点间距将从 55μm 缩短至 45μm。

为了继续保持在先进封装领域的领导地位，英特尔正着眼于 2023 年交付 Foveros Omni 和 Foveros Direct 之外的其他未来规划，将在未来几代技术中从电子封装过渡到集成硅光子学的光学封装。

英特尔将继续与包括 Leti、IMEC 和 IBM 在内的产业伙伴密切合作，在以上和其他诸多创新领域进一步发展制程和封装技术。

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Meteor Lake处理器Q3试产

而在消费市场，2021年对Intel来说异常重要，今年该公司的制程工艺终于走上正轨，现在已经传来多个喜讯——10nm成本大降45%，产能也超过了14nm，成为新的主力，7nm工艺进展良好，2023年随着Meteor Lake首发。

Meteor Lake是Intel下下下代酷睿处理器，按照规划应该是14代酷睿，中间隔着10nm工艺的12代酷睿Alder Lake、13代酷睿Raptor Lake，后两者使用的是LGA1700插槽，Meteor Lake传闻是LGA1800插槽。

虽然7nm工艺跟最初宣布的进度相比也延期了至少1年，不过这一次的进展不错，Meteor Lake处理器今年5月份的时候已经完成芯片的“Tape-in”。Tape-in在Tape-Out（流片）前，大概是IP模块完成设计验证阶段。

设计完成之后，下一步就要准备流片、验证了，Intel人员提到Q3季度7nm的Meteor Lake处理器就会在第一条7nm生产线上试产（意味着最晚不过2个月时间），当然这还是很早期的工程样品，具体情况还没有什么信息。

7nm工艺会是Intel的一次翻身仗，虽然2023年量产的时候友商已经有5nm、3nm工艺了，但是Intel的7nm工艺晶体管密度达到了1.8亿晶体管每平方毫米，技术水平追上台积电的5nm、三星3nm工艺。

对于Meteor Lake处理器，除了7nm工艺之外，这次还会用上Foveros 3D封装技术，里面会集成不同工艺的IP核心，这也是Intel首次在主流桌面处理器用上多芯片封装技术，以前的胶水多核只是简单的2D封装，现在是3D封装多芯片结构了。

(张毅)

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