首发6nm RF制程、美国晶圆厂已开工，台积电线上技术论坛透露了哪些重要信息？

今（2）日，台积电线上技术论坛登场，会中揭示先进逻辑技术、特殊技术、以及3DFabric先进封装与芯片堆栈技术的最新创新成果。那么台积电都透露了哪些重要信息？

台积电的晶圆代工技术一直走在业界前列，今日台积电首次发表6纳米RF（N6RF）制程，将先进的6纳米逻辑制程所具备的功耗、效能、面积优势带入到5G射频（RF）与WiFi 6/6e解决方案。据介绍相较于前一世代的16纳米射频技术，N6RF晶体管的效能提升超过16%。

台积电表示，N6RF制程针对6GHz以下及毫米波频段的5G射频收发器提供大幅降低的功耗与面积，同时兼顾消费者所需的效能、功能与电池寿命，亦将强化支援WiFi 6/6e的效能与功耗效率。

5nm制程技术于2020年领先业界量产，目前已超过50万片。台积电指出，因应客户强劲需求，2023年包括4nm的5nm系列制程产能将会比2020年大幅成长超过4倍。

4nm制程技术的开发进度相当顺利，预计于2021年第3季开始试产，较原先规划于2021年第4季试产提早了一季时间。台积电先进技术业务开发处长袁立本指出，中低端手机、消费电子产品、手机基站和联网产品需要考虑成本，因此这类产品采用最先进制程技术的时间会稍有延迟。目前多数产品采用16/12nm并正向6nm迈进，相信到2023年这类产品采用的主流技术会是4nm。

3nm制程技术将依原订计划于2022年下半年量产，届时将成为全球最先进的逻辑技术。相较于5纳米制程技术，3纳米制程速度增快15%，功耗降低达30%，逻辑密度增加达70%。

另外，台积电还将在新竹兴建新晶圆厂，作为2nm生产基地，目前正在进行土地取得程序。

与此同时，台积电持续推动先进封装，计划在2022年在先进封装将达到五座厂生产。台积已将相关技术整合为“3DFabric”平台，纳入所有 3D 先进封装技术包含整合型扇出（InFO）家族、CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）等实现芯片堆叠解决方案如SoIC。

早于去年底就有消息传出，台积电将于美国亚利桑那州凤凰城兴建晶圆厂，今日台积电总裁魏哲家提到，公司斥资 120 亿美元在亚利桑那州建造 12 英寸晶圆厂，现阶段已经开工，工程正顺利进行。

另外，台积电运营组织资深副总经理秦永沛也指出，美国厂位于亚历桑纳州凤凰城机场的北边，第1期正在兴建中，预计2024年采用5nm量产芯片，月产能2万片。根据其在现场播放的影片，台积电美国厂面积达1100英亩（等于约445公顷），超过其台湾厂区面积总和，较台湾省新竹科学园大出一半面积以上。

（木棉）