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传三星电子3纳米工艺试产良率仅两成

  • 来源:互联网
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  • 2022-04-19
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据台媒报道,三星电子规划今年实现3纳米制程芯片量产,不过业内传言当前工艺(3GAE)的试产良率不尽如人意,仅达到约两成,低良率带来的高成本,使三星在3纳米工艺量产初期可能仅用于自有产品生产。

报道称,三星计划在2023年引入第二代3纳米工艺(3GAP),届时或将开始积极为代工客户服务。(乐川)

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  • 编辑:李娜
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