台媒:长鑫存储将于Q2交付17nm DRAM样品
图源:电子时报
据《电子时报》报道援引上述人士称,长鑫存储的17nm制程成品率初步达到40%,预计将在2022年晚些时候逐步提高。据其计划,将在2022年下半年将月产量提高到6万至8万片12英寸晶圆。
长鑫存储将17nm工艺节点作为下一代主流制造技术。该人士认为,当其17nm制程成品率提高到成熟水平时,将能够提高DDR3和DDR4产能,并将在专业DRAM领域与包括南亚科技和华邦电子在内的中国台湾同行展开直接竞争。
南亚科技和华邦电子均计划建立各自的12英寸晶圆厂,用于生产专业DRAM芯片,新晶圆厂计划于2024年投产。在规模较大的国际同行纷纷退出低密度DRAM市场之际,两家公司都做出了兴建新晶圆厂的决定。
华邦电子于2018年在台湾南部的高雄破土动工兴建新的12英寸晶圆厂。该工厂的第一阶段将在2022年底准备好批量生产使用其第二代25nm工艺技术制造的芯片,即25S。
这家芯片制造商还开始推进工厂第二阶段的设施建设。据其预计,到2022年第四季度,高雄新晶圆厂的月产量将增至1万片12英寸晶圆,一年后将再投入生产1万片,进一步扩大晶圆厂的产量。
南亚科技此前则透露,计划建立一个新的12英寸晶圆厂,用于该公司内部开发的10nm级和基于EUV的工艺制造。该芯片制造商预计2024年在新工厂的一期工厂开始批量生产,初步产能预计为每月1.5万个晶圆。
消息人士指出,由于长鑫存储也在准备提高产量,市场是否会出现供过于求仍有待观察。
(隐德莱希)
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- 编辑:李娜
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