传三星拟下半年开始3纳米工艺试产
据韩媒报道,三星位于平泽的P3工厂建设传出新进展,预计将于今年夏天安装生产设备,下半年开始第一代3纳米工艺(3GAE)的试生产
韩媒称,三星电子的3纳米工艺采用环栅 (GAA) 技术,又分为第一代3GAE和第二代3GAP。在3GAE工艺下,相比7纳米FinFET,功耗降低50%,芯片面积减少45%,性能可提升35%。(乐川)
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- 编辑:李娜
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