业内：国际IDM率先将车用MOSFET、IGBT迁至12英寸产线

图源：电子时报

据业内人士透露，国际IDM正率先将将高利润的汽车MOSFET和IGBT功率模块生产从8英寸迁移至12英寸，以提高其在该领域的竞争力。

《电子时报》援引该人士称，日本东芝半导体最近宣布计划投资1,000亿日元（合8.694亿美元），扩大其12英寸汽车电源模块fab产能。英飞凌和AOS也大胆采用12英寸晶圆产能内部生产高端汽车MOSFET和IGBT功率芯片解决方案，具有高毛利率和技术门槛。

在将生产重点转向汽车电源模块的同时，IDM们也在削减用于IT应用的MOSFET的产量，导致消费级MOSFET短缺，并促使客户将订单转向中国台湾的供应商。消息人士称，后者都在加强SGT MOSFET的生产，以满足商用笔记本电脑和台式电脑的订单。

与国际IDM不同，这些厂商仍然依赖于8英寸产线生产IT用MOSFET，大部分采用0.18um、0.13um、0.11um以及90nm制程。但消息人士指出，8英寸持续收紧的供应能力将成为影响这些厂商出货量的主要因素之一。

（Ukyan）