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传联电22nm高压制程最快明年首季试产验证

  • 来源:互联网
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  • 2021-12-14
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据台媒《经济日报》报道,联电与三星合作开发的22nm高压制程最快明年首季开始试产验证,届时将为三星代工新的OLED驱动IC。

图源:经济日报

据悉,联电方面证实,22nm高压制程正因应客户需求开发中,但无法透露客户名称。台媒分析称目前OLED驱动IC厂商中仅有三星有能力导入联电的22nm高压制程,最快明年第1季开始小量试产验证,初期产能数千片,之后逐步放大至数万片。

该报道指出,联电22nm制程与原来28nm制程相比,能够缩减10%的晶粒面积,且拥有更佳功率效能比和更强的射频性能。22nm高压制程则从原来可支持的1.8V/3.3V/5V/8V提高至最大到10V/18V。

(Yuki)

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  • 编辑:李娜
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