【专利解密】苏州汉骅打造半导体领域高端产线

【嘉勤点评】苏州汉骅的半导体器件专利，通过在器件中形成不同厚度的介质层，提高器件的线性度。

近日，苏州汉骅完成超亿元A轮融资，而其主推的就是化合物半导体研发。苏州汉骅表示，将与产业链一起打造化合物半导体领域全国产化的高端产线。

基于氮化镓材料的高电子迁移率场效应管(HEMT)被广泛运用于雷达，微波通信以及高压功率器件领域。由于氮化镓基的HEMT器件多用于大功率，高频率，大带宽的应用场合，因此其线性度对整个射频前端的性能至关重要。当输入信号的动态范围扩大时，氮化镓HEMT器件的静态工作点受到影响，会使器件的幅度和相位传输特性发生变化，对输出信号产生畸变失真，即产生线性度问题。如何提高HEMT器件的线性度性能，一直是氮化镓射频器件的技术难点。

为此，苏州汉骅于2018年12月31日申请了一项名为“半导体器件及其制造方法”的发明专利（申请号: 201811631049.1），申请人为苏州汉骅半导体有限公司。

图1 半导体器件制造方法流程图

图1为本发明提出的半导体器件制造方法流程图，主要包括以下步骤：首先提供晶圆，所述晶圆包括N+1个半导体结构，所述半导体结构包括半导体层和位于所述半导体层上的源极和漏极（S10）。然后在第一半导体结构上的源极和漏极之间形成第一栅极（S20）。接着在晶圆上形成第一介质层，并在第二半导体结构的源极和漏极之间的第一介质层上形成第二栅极（S30）。之后在晶圆上形成第二介质层，并在第三半导体结构的源极和漏极之间的第二介质层上形成第三栅极（S40）。依此类推，在所述晶圆上形成第N介质层，并在第N+1半导体结构的源极和漏极之间的第N介质层上形成第N+1栅极，其中，所述N为大于等于1的正整数（S50）。

其中晶圆包括4个半导体结构，分别为第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构和第四半导体结构。每个半导体结构又包括导体层和位于导体层上的源极和漏极，半导体层是包括衬底、缓冲层和势垒层的外延层。

可以通过诸如物理气相沉积的方法在第一半导体结构上形成第一栅极，位于第一源极和第一漏极之间。第一栅极、第一半导体结构构成第一场效应管。将上述晶圆放入原子层沉积(ALD)、超高真空化学气相沉积(UHCVD)、分子束外延(MBE)等设备中，通过沉积的方法，在晶圆上生长第一介质层，覆盖全部半导体结构，以此类推。

简而言之，苏州汉骅的半导体器件专利，通过在器件中形成不同厚度的介质层，提高器件的线性度。

苏州汉骅从事化合物半导体核心材料的研发与生产，是集先进研发、规模生产、测试、技术服务为一体的全套闭环先进生产制造基地。未来，苏州汉骅将进一步加快、加大化合物半导体核心高端材料的技术研发投入、扩大产能、市场拓展。

（holly）