捷捷微电：推出新款150V系列N-沟道JSFET，助力5G通信等应用

9月8日，捷捷微电推出新款150V系列N-沟道JSFET，采用TO-220-3L，TO-247-3L及TO-263-3L封装，超优的热导性能減少热点，提升可靠性；符合5G通信电源及有源以太网(PoE++)供应端电源、储能电池组电源管理(BMS)优化器、无刷电机驱动(BLDC)等应用对超高功率密度和能效的需求。

捷捷微电表示，公司聚焦主业发展方向，紧紧抓住“推动我国基础电子元器件产业实现高质量发展”及推进功率半导体进口替代为契机，主营业务收入较上年同期有较大幅度的增长，环比保持良好的增长。

此外，捷捷微电继续加大研发投入，持续发挥募投项目的产能利用效应和产品结构匹配功率半导体产业结构发展之需要的团队建设。捷捷微电主营业务利润较上年同期有较大幅度的增长，环比保持较好的增长。

据了解，捷捷微电的晶闸管和防护器件产线（IDM）通过多年技术积累、产品升级、定制化生产、个性化服务和替代进口等，形成了较为成熟的技术工艺平台与先进制造等，产线的设计产能与产能利用率，包括产品高可靠性指标等均得到充分的提升与完善。

捷捷微电晶闸管产线经过近20年的沉淀，发挥了很好的超边际效应，营收占比约40%，保证了其核心业务毛利率与现金流相对稳定且较好的水准；同时二极体产线也发挥了很好的边际效应，保持相对较高的毛利水平以及与之对应的现金流。

关于上半年产品涨价情况，捷捷微电表示，除晶闸管、MOSFET、防护器件外，公司目前暂无其他涨价的计划；若原料市场出现小幅涨价情况，捷捷微电首先会进行内部自我消化，除非未来有原材料大幅涨价的情况，才会考虑产品提价。（Andy）